品名 IC级半导体硅片
用途 同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体、半导体光刻
产品尺寸 200mm/8"
表面处理 Notch/Flat、SSP单面抛光、DSP双面抛光、E/E双面刻蚀、Oxide氧化膜等 (具体要求详谈)
生长方式 CZ直拉、FZ区熔
厚度 300-2000μm
型号/掺杂类型 P /硼 、N/砷、磷、锑
晶向 <111>\<100>
电阻率 0.0001-10000(Ω·cm)
