技术参数
光谱仪：直空型，多达三个平面光学分光室，并带有各自的入射狭缝，光栅和因态电子检测器件
焦距：200mm
VUV分光室：波长范围129-200nm
基本分光室：波长范围200-410nm
可选择的碱土
金属分光室：波长范围410-780nm
入射狭缝宽度：15um
检测器类型：每个分光室装有一个CCD检测器，3×8640像素VUV波段分光室所用的CCD表面涂有磷光物质CCD采用电制冷，温度控制在5±0.50C
像素:在7um间距内,光电二级管7×9.8um
光栅类型:象差校正凹面光栅，刻线分别为590gr/mm，1105gr/mm和3240gr/mm
平均分辨率：VUV分光室8pm/像素，基本分光室24pm/像素，碱土金属分光室43pm/像素
样品台：冲氩，带自循环水冷去系统
光源
类型：专得的电流控制光源（CCS）
峰值电流：可编程，最大250A 平台电流：可编程，在13us步长内最大30A
频率：最高1000Hz
仪器控制：基于Intel386EX和NetSilicon Net+50处理器的Thermo微控制器板
软件：在Windows平台下动行的WinOE
机壳：带大能力冷却风扇的内置防尘保护
环境要求
环境温度：10-280C
相对湿度：20-80%
电压：220V±带保护接地单相电源（如果波动超过±10%，需要配备2.5VA的稳压器）
电流:7A,包括PC机,显示器和打印机
频率:50或60Hz
接地电阻:<1Ω
氩气:>99.996%,氧含量≤5ppm(高硅样品氧含量≤2ppm)
>99.9997%,(分析低碳,氮和氧时),否则必须安装氩气净化器
